fa بررسی تطبیقی کاربرد تکنیک‌های سوئیچینگ متنوع در اینورتر منبع امپدانسی کلیدزنی شده: تحلیل تئوری و نتایج شبیه‌سازی تخصصي Special پژوهشي Research <p style="font-style: normal; text-align: justify;"><span style="font-size:12px;"><span style="font-family:Tahoma;"><span dir="RTL" lang="FA"><span style="background:yellow"><span b="" nazanin=""><span style="background-color:#ffffff;">اینورتر منبع امپدانسی کلید شده (</span></span></span></span><span style="background:yellow"><span times=""><span style="background-color:#ffffff;">S-ZSI</span></span></span><span dir="RTL" lang="FA"><span style="background:yellow"><span b="" nazanin=""><span style="background-color:#ffffff;">)&quot;</span><a href="#_ftn1" name="_ftnref1" title="">^{^{<span style="background:yellow"><span times=""><span style="background-color:#ffffff;">[1]</span></span></span>}}</a><span style="background-color:#ffffff;"> </span></span></span></span><span dir="RTL" lang="AR-SA"><span style="background:yellow"><span b="" nazanin=""><span style="background-color:#ffffff;">با بهره‌گیری از عناصر پسیو و اکتیو در شبکه منبع امپدانسی، امکان پیاده‌سازی روش‌های مختلف کلیدزنی را فراهم می‌کند. هرچند مقالات متعددی در زمینه تحلیل و بررسی اینورترهای منبع امپدانسی منتشر شده است، تأثیر روش‌های کنترل و کلیدزنی مختلف بر عملکرد یک ساختار واحد به‌طور جامع مورد بحث و مقایسه قرار نگرفته است</span></span></span></span><span style="background:yellow"><span times=""><span style="background-color:#ffffff;">.</span></span></span><span style="background-color:#ffffff;"> </span><span dir="RTL" lang="AR-SA"><span style="background:yellow"><span b="" nazanin=""><span style="background-color:#ffffff;">در این مقاله، بررسی و مقایسه تطبیقی سه روش کلیدزنی متفاوت (</span></span></span></span><span style="background:yellow"><span times=""><span style="background-color:#ffffff;">PWM</span></span></span><span style="background-color:#ffffff;"> </span><span dir="RTL" lang="AR-SA"><span style="background:yellow"><span b="" nazanin=""><span style="background-color:#ffffff;">متداول، </span></span></span></span><span style="background:yellow"><span times=""><span style="background-color:#ffffff;">PWM</span></span></span><span style="background-color:#ffffff;"> </span><span dir="RTL" lang="AR-SA"><span style="background:yellow"><span b="" nazanin=""><span style="background-color:#ffffff;">سینوسی اصلاح‌شده و روش کلیدزنی کلیدزنی فرکانس بالا) بر روی یک ساختار</span></span></span></span><span style="background-color:#ffffff;"> </span><span dir="RTL" lang="AR-SA"><span style="background:yellow"><span b="" nazanin=""><span style="background-color:#ffffff;">واحد است. در این پژوهش، تأثیر تغییر الگوی کلیدزنی بر پارامترهای کلیدی شامل ضریب افزایش ولتاژ، رپل جریان سلف، تنش ولتاژ و جریان روی کلیدها، تلفات کلیدزنی، </span></span></span></span><span dir="RTL" lang="FA"><span style="background:yellow"><span b="" nazanin=""><span style="background-color:#ffffff;">اعوجاج هارمونیکی کل (</span></span></span></span><span style="background:yellow"><span times=""><span style="background-color:#ffffff;">THD</span></span></span><span dir="RTL" lang="FA"><span style="background:yellow"><span b="" nazanin=""><span style="background-color:#ffffff;">)&quot;</span><a href="#_ftn2" name="_ftnref2" title="">^{^{<span style="background:yellow"><span times=""><span style="background-color:#ffffff;">[2]</span></span></span>}}</a><span style="background-color:#ffffff;"> </span></span></span></span><span dir="RTL" lang="AR-SA"><span style="background:yellow"><span b="" nazanin=""><span style="background-color:#ffffff;">و رفتار دینامیکی سیستم به‌طور دقیق تحلیل و مقایسه شده است</span></span></span></span><span style="background:yellow"><span times=""><span style="background-color:#ffffff;">.</span></span></span><span style="background-color:#ffffff;"> </span><span dir="RTL" lang="AR-SA"><span style="background:yellow"><span b="" nazanin=""><span style="background-color:#ffffff;">نتایج نشان می‌دهد که هر روش کلیدزنی رفتار متفاوتی ایجاد می‌کند و انتخاب روش مناسب به نوع کاربرد بستگی دارد. </span></span></span></span><span dir="RTL" lang="FA"><span style="background:yellow"><span b="" nazanin=""><span style="background-color:#ffffff;">در این مقاله ابتدا تحلیل تئوری جامع عملکرد اینورتر </span></span></span></span><span style="background:yellow"><span times=""><span style="background-color:#ffffff;">S-ZSI</span></span></span><span dir="RTL" lang="FA"><span style="background:yellow"><span b="" nazanin=""><span style="background-color:#ffffff;"> در حالت ماندگار ارائه می‌شود. سپس روش‌های مختلف کلیدزنی معرفی شده و ویژگی‌های عملکردی هر روش با اعمال بر روی ساختار اینورتر منبع امپدانسی کلیدزنی‌شده بررسی و مقایسه تطبیقی عملکرد سه روش از جهات مختلف ارائه می‌شود. در پایان به منظور تایید تحلیل تئوری ارائه شده نتایج شبیه سازی در محیط نرم افزار </span></span></span></span><span style="background:yellow"><span times=""><span style="background-color:#ffffff;">PSCAD/EMTDC</span></span></span><span dir="RTL" lang="FA"><span style="background:yellow"><span b="" nazanin=""><span style="background-color:#ffffff;"> برای هر یک از روش های پیشنهادی ارائه می‌گردد.</span></span></span></span></span></span></p> <div></div> <div> <p style="font-style: normal; text-align: justify;"><span style="font-size:12px;"><span style="font-family:Tahoma;"><span style="background-color:#ffffff;">&nbsp;</span></span></span></p> </div> <p dir="auto">The Switched Z-Source Inverter (S-ZSI) utilizes passive and active elements in the Z-source network, enabling the implementation of various switching methods. Although numerous papers have been published on the analysis and study of Z-source inverters, the impact of different control and switching methods on the performance of a single structure has not been comprehensively discussed and compared.</p> <p dir="auto">This paper presents a comparative study of three different switching methods (conventional PWM, modified sinusoidal PWM, and high-frequency switching method) applied to a single S-ZSI structure. The research precisely analyzes and compares the effect of changing the switching pattern on key parameters, including voltage boost factor, inductor current ripple, voltage and current stress on the switches, switching losses, Total Harmonic Distortion (THD), and the dynamic behavior of the system.</p> <p dir="auto">The results indicate that each switching method produces distinct performance characteristics, and the selection of the appropriate method depends on the specific application requirements. The paper first provides a comprehensive theoretical analysis of the S-ZSI operation in steady-state conditions. Then, the different switching methods are introduced, and the performance features of each method are examined when applied to the switched Z-source inverter structure. A comparative analysis of the three methods from various aspects is presented. Finally, to validate the theoretical analysis, simulation results for each of the proposed methods are provided in the PSCAD/EMTDC software environment.</p> &nbsp; اینورتر منبع امپدانسی, ضریب افزایش, الگوی کلیدزنی, اعوجاج هارمونیکی کل, پاسخ دینامیکی. Impedance source inverter, Boost Factor, Switching Pattern, THD, Dynamic response. 36 59 http://ieijqp.ir/browse.php?a_code=A-10-1662-1&slc_lang=fa&sid=1 Mohsen Hasan Babayi Nozadian محسن حسن بابای نوزادیان m.nozadian@basu.ac.ir 2740319592 10031947532846007758 Yes Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, Bu-Ali Sina University Bu-Ali Sina University ﮔﺮوه ﻣﻬﻨﺪﺳﯽ ﺑﺮق، داﻧﺸﮑﺪه ﻣﻬﻨﺪﺳﯽ، داﻧﺸﮕﺎه ﺑﻮﻋﻠﯽ ﺳﯿﻨﺎ، ﻫﻤﺪان، ایﺮان Elias Shokati Asl الیاس شوکتی اصل e.shokati@merc.ac.ir 1450259650 10031947532846007759 No Department of Energy Materials and Energy Research Center ﮔﺮوه ﭘﮋوﻫﺸﯽ اﻧﺮژی ﺧﻮرﺷﯿﺪی، ﭘﮋوﻫﺸﮑﺪه اﻧﺮژی، ﭘﮋوﻫﺸﮕﺎه ﻣﻮاد و اﻧﺮژی، ﮐﺮج، ایﺮان