<?xml version="1.0" encoding="utf-8"?>
<journal>
<title>Iranian Electric Industry Journal of Quality and Productivity</title>
<title_fa>نشریه کیفیت و بهره وری صنعت برق ایران</title_fa>
<short_title>ieijqp</short_title>
<subject>Engineering &amp; Technology</subject>
<web_url>http://ieijqp.ir</web_url>
<journal_hbi_system_id>1</journal_hbi_system_id>
<journal_hbi_system_user>admin</journal_hbi_system_user>
<journal_id_issn>2322-2344</journal_id_issn>
<journal_id_issn_online>2717-1639</journal_id_issn_online>
<journal_id_pii>8</journal_id_pii>
<journal_id_doi>10.61186/ieijqp</journal_id_doi>
<journal_id_iranmedex></journal_id_iranmedex>
<journal_id_magiran></journal_id_magiran>
<journal_id_sid>14</journal_id_sid>
<journal_id_nlai>8888</journal_id_nlai>
<journal_id_science>13</journal_id_science>
<language>fa</language>
<pubdate>
	<type>jalali</type>
	<year>1404</year>
	<month>7</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<pubdate>
	<type>gregorian</type>
	<year>2025</year>
	<month>10</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<volume>14</volume>
<number>3</number>
<publish_type>online</publish_type>
<publish_edition>1</publish_edition>
<article_type>fulltext</article_type>
<articleset>
	<article>


	<language>fa</language>
	<article_id_doi></article_id_doi>
	<title_fa>یک روش نوین بوت‌استرپ بایپولار برای سوییچ هایIGBT</title_fa>
	<title>A Novel Bipolar Bootstrap Method for IGBT Switches</title>
	<subject_fa>برق و کامپیوتر</subject_fa>
	<subject></subject>
	<content_type_fa>پژوهشي</content_type_fa>
	<content_type>Research</content_type>
	<abstract_fa>&lt;p style=&quot;text-align: justify;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-size:12px;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:Tahoma;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;line-height:90%&quot;&gt;&lt;span style=&quot;direction:rtl&quot;&gt;&lt;span style=&quot;unicode-bidi:embed&quot;&gt;&lt;span b=&quot;&quot; nazanin=&quot;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;color:black&quot;&gt;ساختارهای سوییچینگی که دارای دو ترانزیستور بر روی یک ساق هستند نیاز به دو تغذیه ایزوله برای گیت درایور هر ترانزیستور دارند. بنابراین از توپولوژی بوت&#8204;استرپ برای جدا کردن زمین هر گیت درایور استفاده می&#8204;شود. توپولوژی بوت&#8204;استرپ برای درایو کردن یونیپولار (زمانی که ولتاژ خاموش شدن ترانزیستور برابر صفر باشد.) شناخته شده و مورد استفاده است. درایو کردن گیت&#8204;ها به صورت یونیپولار می&#8204;تواند باعث روشن شدن ناخواسته سوییچ از طریق خازن میلر یا اندوکتانس پراکندگی و همچنین روشن شدن پارااستاتیک شود. بنابراین برای حل این مشکل درایو گیت&#8204;ها به صورت بایپولار انجام می&#8204;شود. اما این روش پیچیده تر از بوت&#8204;استرپ یونیپولار است. در مقالات ساختارهای مختلفی برای بوت استرپ بایپولار معرفی شده است که از نظر اندازه و تعداد المان&#8204;ها بهینه نیستند. دراین مقاله یک توپولوژی جدید برای بوت استرپ با ولتاژ منفی (بایپولار) معرفی شده است که نیازی به سیگنال کنترلی جدید ندارد وهمچنین از قطعات ولتاژ بالا و بزرگ در آن استفاده نشده است و دارای حداقل تعداد المان&#8204;های الکتریکی است بنابراین مساحت بسیارکوچکی نسبت به ساختارهای بوت استرپ معمول در مدارهای چاپی اشغال می&#8204;کند. توپولوژی ارائه شده در این مقاله شبیه سازی شده و همچنین عملکرد بهینه این توپولوژی توسط نتایج عملی ارائه و تایید شده است.&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;br&gt;
&amp;nbsp;&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/p&gt;</abstract_fa>
	<abstract>&lt;p style=&quot;text-align: justify;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-size:12px;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:Tahoma;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;unicode-bidi:embed&quot;&gt;&lt;span style=&quot;line-height:90%&quot;&gt;&lt;span b=&quot;&quot; nazanin=&quot;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;color:black&quot;&gt;&lt;span new=&quot;&quot; roman=&quot;&quot; times=&quot;&quot;&gt;Switching topologies with two transistors appearing on the same leg require two isolated voltage sources for each gate driver. Therefore, bootstrap topology is used in gate drivers to isolate the grounds of each gate driver. Bootstrap topology is well known in unipolar switching, when the turn-off voltage of transistor is equal to zero. Unipolar gate driving can cause unintended turn-ons in switches due to milers capacitance or stray inductance and also parastatic turn-on. To mitigate this issue, bipolar gate driver sources are used. however, bipolar gate drivers are more complex than the unipolar gate drivers. In some papers bipolar bootstrap topologies are introduced but they are not optimal in size or element count. In this paper, a new bipolar bootstrap topology is proposed in which it does not need a new control signal and does not use high voltage and large elements and has minimum count of electrical elements. Therefore, this topology uses less real-estate in PCB designs compared to conventional bipolar gate drivers. In this paper, the proposed topology of bipolar bootstrap is simulated and the optimal performance is verified by means of experimental results.&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;br&gt;
&amp;nbsp;&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/p&gt;</abstract>
	<keyword_fa>مبدل‌های سوییچینگ, گیت درایور, بوت‌استرپ بایپولار, پالس منفی</keyword_fa>
	<keyword>Switch-mode power converters, Gate Driver, Bipolar Bootstrap, Negative Pulse</keyword>
	<start_page>11</start_page>
	<end_page>18</end_page>
	<web_url>http://ieijqp.ir/browse.php?a_code=A-10-1636-1&amp;slc_lang=fa&amp;sid=1</web_url>


<author_list>
	<author>
	<first_name>Iman</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>A.Abiane</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>ایمان</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>عسگریان</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email>aiman14679@gmail.com</email>
	<code>10031947532846007438</code>
	<orcid>10031947532846007438</orcid>
	<coreauthor>Yes
</coreauthor>
	<affiliation>Sharif university of technology</affiliation>
	<affiliation_fa>دانشکده مهندسی برق-دانشگاه صنعتی شریف-تهران-ایران</affiliation_fa>
	 </author>


	<author>
	<first_name>Mohammad</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Taaleb</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>محمد</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>طالب</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email>taalebmohammad@gmail.com</email>
	<code>10031947532846007439</code>
	<orcid>10031947532846007439</orcid>
	<coreauthor>No</coreauthor>
	<affiliation>Sharif university of technology</affiliation>
	<affiliation_fa>دانشکده مهندسی برق-دانشگاه صنعتی شریف-تهران-ایران</affiliation_fa>
	 </author>


</author_list>


	</article>
</articleset>
</journal>
