در این مقاله، یک توپولوژی بهبودیافته برای اینورتر شبکه امپدانس توسعه‌یافته (IM) ارائه شده است که از زمین مشترک بین منبع ورودی و پل اینورتر بهره می‌برد. با توجه به محدودیت ضریب تقویت ولتاژ در ساختارهای متداول IM، در توپولوژی پیشنهادی از ترکیب سلول‌های سلف–خازن به‌منظور افزایش تقویت ولتاژ استفاده شده است. نوآوری اصلی این ساختار، در مقایسه با اینورترهای متداول IM با تعداد یکسان عناصر فعال و غیرفعال، دستیابی هم‌زمان به بهره ولتاژ بیشتر، کاهش تنش ولتاژی کلیدهای قدرت در سطوح تقویت یکسان و امکان استفاده از سلف‌هایی با اندوکتانس کمتر است. بررسی‌های تحلیلی نشان می‌دهد که ضریب تقویت ولتاژ اینورتر پیشنهادی در مقایسه با هفت توپولوژی مرجع از جمله EB-ZSI  و EB-qZSI به ‌ویژه در دوره­های سیکل شوت-ترو[1] (D) بالای ۰٫۲۵، به ‌طور محسوسی افزایش یافته است،. علاوه بر این، تنش کل ولتاژ خازن در مقایسه با اینورترهای با بهره بالا مانند EB-ZSI،EB-qZSI  و EEB-ZSI کمتر است. این مقاله ساختار توپولوژی پیشنهادی و تحلیل نظری را به ‌تفصیل شرح می‌دهد و سپس یک مقایسه جامع عملکرد با طرح‌های پیشرفته ارائه می‌کند. همچنین، مجموع تنش ولتاژی خازن‌ها در مقایسه با ساختارهای با بهره ولتاژ بالا نظیر EB-ZSI، EB-qZSI  و EEB-ZSI  کمتر بوده که این ویژگی موجب کاهش تنش الکتریکی مؤلفه‌ها و بهبود قابلیت اطمینان مبدل می‌شود. در ادامه، ساختار توپولوژی پیشنهادی و تحلیل تئوری عملکرد آن به‌ صورت جامع ارائه شده و سپس عملکرد آن از طریق مقایسه با پیشرفته‌ترین توپولوژی‌های موجود در این حوزه ارزیابی شده است. در نهایت، نتایج شبیه‌سازی و آزمون‌های آزمایشگاهی، صحت تحلیل‌های انجام‌شده و عملکرد مطلوب اینورتر پیشنهادی را از نظر ضریب بهره ولتاژ، کاهش تنش ولتاژی و بهبود شاخص‌های عملکردی تأیید می‌کنند.